浅析U盘芯片含义、特征及优缺点
U盘芯片也称为闪存芯片,主要分为三种:SLC、MLC和TLC芯片。相信很多朋友还不知道这三种芯片有什么含义、特性及优缺点,下面就为大家简单介绍一下SLC、MLC和TLC这三种芯片以及它们之间的对比。
一、SLC、MLC和TLC三代闪存的含义介绍:
SLC芯片详细介绍
“SLC”英文全称“Single-Level Cell”(即单层式储存),又名“1bit/cell”,主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于“Silicon efficiency”的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术。
MLC芯片详细介绍
“MLC”英文全称“Multi-Level Cell”(即多层式储存),又名“2bit/cell”,主要由东芝、Renesas、三星使用。英特尔(Intel)在1997年9月最先开发出MLC,它作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate(闪存存储单元中存放电荷的部分),然后利用不同电位(Level)的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。
TLC芯片详细介绍
“TLC”英文全称“Triple-Level Cell”,又名“3bit/cell”,也有Flash厂商称它为“8LC”,TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
二、SLC、MLC和TLC三代闪存的特性介绍:
SLC特性:运转和反应速度快,使用寿命长,价格也很贵,大概是“MLC”价格的三倍以上,大约十万次写入(擦写)寿命。
MLC特性:运转和反应速度一般、使用寿命一般,购买价格也一般,大约3000到10000次的写入(擦写)寿命。
TLC特性:它的运转和反应速度最慢,使用的寿命也最短,而且价格也最便宜,大约500次的写入(擦写)寿命,到目前位置,还没有哪个厂家能够做到1000次写入(擦写)的。
闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,而不是读出的次数,因为读取对U盘芯片的寿命影响不大。
三、SLC、MLC和TLC三代闪存芯片寿命差异比较:
SLC闪存利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。
MLC闪存利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC(容量大了一倍,寿命缩短为1/10)。
TLC闪存利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC(容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20)。
四、SLC和MLC的缺点比较
MLC架构有不少缺点,首当其冲的是使用寿命比SLC要短,MLC架构只能够承受1万次的擦写,而SLC架构却可以承受10万次的擦写。
其次就是存取速度慢,在当前的技术条件下,MLC芯片理论上存取速度只能达到6MB左右,而SLC架构的存取速度要比MLC架构的存取速度快三倍以上呢!
还有就是MLC的电流消耗比SLC高,如果在同等使用条件下MLC跟SLC相比的话,MLC的电流消耗要比SLC的电流消耗多出百分之十五左右。
总结:虽然MLC跟SLC相比,MLC缺点要多,但在单颗芯片容量方面,当前MLC还是占据绝对优势的。因为MLC架构和成本都占有绝对优势,能够满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
看了上面这么多的内容现在相信大家都了解了SLC、TLC和MLC的区别了吧?说了这么多大家一定还是想知道究竟这三种U盘芯片究竟哪个最好,其实这个问题并没有准确答案,这三种主流U盘芯片各有其特点,对于普通使用U盘的用户来说,影响不是太大,只要我们注意购买时不要买到假货就行了。
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